CMOS 射频集成电路设计(第二版) 中文版

新书城图书编号：64108

图书ISBN：7121032805

出版时间：2006-11-1

出版社：电子工业出版社

作者：（美）李（Lee.T.H.）　著，余志平　等译

市场价格：~~￥59~~

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【图书分类】

计算机图书>>电子电路

【图书简介】

本书是《CMOS射频集成电路设计》的第二版，这本被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络以及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题，因此是高年级本科生和研究生学习有关射频电子学方面课程的理想教科书，对于从事射频集成电路设计或其他领域实际工作的工程技术人员也是一本非常有益的参考书。

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【图书目录】

第一章无线电发展历史的间断回顾
1.1 引言
1.2 麦克斯韦尔和赫兹
1.3 真空管发明前的电子学
1.4 真空管的诞生
1.5 Armstrong和再生放大器/检波器/振荡器
1.6 其他无线电路
1.7 Armstrong和超再生电路
1.8 Oleg Losev及第一个固态电路放大顺
1.9 结束语
1.10 附录:真空管基础
第二章无源集成电路（IC）元件的特性
2.1 引言
2.2 电阻
2.3 电容
2.4 电感
2.5 小结
2.6 附录:是容方程总结
第三章 MOS器件物理回顾
3.1 引言
3.2 简短历史
3.3 场效应管:一个小故事
3.4 MOSFET物理:长沟道近似
……


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