SiGe微电子技术
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| 新书城图书编号：275370 |
| 图书ISBN：9787118052527 |
| 出版时间：2007-9-1 |
| 出版社：国防工业 |
| 作者：徐世六 |
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市场价格：￥55 |
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普通会员：￥44
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80折 |
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VIP会员：￥41.25
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75折 |
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【图书简介】
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本书主要是结合微电子器件和电路来介绍Si1-xGex，材料的基本性质和制备技术、Si1-xGex/Si异质结、Si1-xGex/Si微电子器件及其电路的设计和制造等。对于Si1-xGex在光电子领域的应用也作了简要的介绍。讲述力求简明扼要，并能反映出最新的研究成果和发展动态。
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【图书目录】
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第一章 SiGe技术的发展及其应用概述
1.1 SiGe器件
1.1.1 SiGe双极型器件
1.1.2 SiGe场效应器件
1.1.3 SiGe光电器件
1.1.4 其他SiGe器件
1.2 SiGe-HBT的主要应用
1.2.1 SiGe放大器
1.2.2 SiGe-A/D转换器
1.2.3 SiGe振荡器
1.2.4 SiGe混频器和倍增器、倍减器
1.2.5 SiGe-HBT的其他应用
1.3 IBM SiGe技术的早期历史
1.3.1 SiGe技术的起源
1.3.2 SiGe-UHV/CVD技术的发明
1.3.3 最早采用更JHV/CVD技术制作的Si外延基区晶体管
1.3.4 IBM最早的SiGe基区晶体管
1.3.5 PNP-SiGe晶体管
1.3.6 fT为75GHz的SiGe基区晶体管
1.3.7 SiC-e外延基区晶体管(ETX)
1.3.8 SiGe技术的后续工作
1.4 SiGe的主要厂商、工艺及代表产品
1.4.1 SiGe技术的两种主要工艺
1.4.2 IBM的SiGe-BiCMOS工艺及产品
1.4.3 Atmel妁SiGe技术
1.4.4 M axim的SiGe技术
1.4.5 Jazz半导体公司的SiGe技术
1.4.6 TSMC(台积电)的SiGe技术
1.4.7 SiGe半导体公司
1.4.8 Sirenza Microdevices的SiGe技术
1.5 SiGe技术的市场和前景
1.6 SiGe薄膜的制备工艺概述
1.7 开发SiGe-HBT工艺的途径
1.7.1 采用低温外延技术淀积SiGe
1.7.2 SiGe-BiCMOS的工艺集成
1.7.3 SiGe-HBT的制作
1.7.4 其他元件的工艺技术
1.8 SiGe技术的国内发展动态
参考文献
第二章 Si1-Gex的基本物理特性
第三章 应变硅技术原理
第四章 SiGe导质结构
第五章 SiGe材料的主要制备技术
第六章 Si/SiGe导质结双极型晶体管
第七章 Si/SiGe导质结场效应晶体管
第八章 应变硅器件与电路
第九章 SiGe在光电子领域的应用
参考文献
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